显微荧光测量装置LabRAM-HR PL
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非破壊、非接触による、化合物半導体(ワイドギャップ半導体からナローギャップ半導体まで)の組成評価、欠陥評価、量子井戸の評価、不純物評価、結晶性評価が行えます。
- ツエルニターナ型分光器(焦点距離800mm)により、高精度測定が可能
- 複数のレーザを搭載可能(DUV〜NIR)
- 2つの検出器(アレイ型、シングルチャンネル型)が搭載可能で、UVからNIRまで、広い測定レンジ(200nm〜1600nm以上)を高感度で測定可能
- 2種類の回折格子を標準で搭載
- 最大300mm大型XYステージでのマッピング測定が可能
また、高倍率対物レンズで、微小部分のマッピング評価も可能 - PL信号でのオートフォーカス機能
- 豊富な低温測定オプション
- フィルターの交換で、同一測定点での、フォトルミネッセンス、ラマン測定が可能
新機能高速マッピング
マッピング速度を飛躍的に向上させた高速マッピング機能を開発しました。従来からの優れた光学性能を維持し、短時間でウエハ全体の情報が得られます。
さらに、高倍率の対物レンズを使用することで微小領域を高空間分解能でマッピングすることも可能です。
高速マッピングの測定例
●ピーク波長マッピング
●半値幅マッピング
●ピーク強度マッピング
●積分強度マッピング
●任意の波長での強度マッピング
●フィッティングによるピーク分離
従来からの高い波数分解能と優れた波長精度を維持した高速マッピング測定が可能になりました。
測定時間
3インチウエハ |
2インチウエハ |
|||
---|---|---|---|---|
測定ピッチ |
データ数 |
測定時間 |
データ数 |
測定時間 |
0.5mm |
23409 |
7分10秒 |
11025 |
3分20秒 |
1mm |
5929 |
3分0秒 |
2809 |
1分30秒 |
2mm |
1521 |
1分28秒 |
729 |
48秒 |
※どちらも、CCD検出器を使用して、すべての点でスペクトルを測定
XYステージ駆動方式、積算時間は1ミリ秒
測定例
3インチMQWウエハ
ピーク波長マッピング(従来法との比較)
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|
半地幅マッピング(従来法との比較)
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3インチ InGaPウエハ
101×101測定ポイント、積算時間1ミリ秒、測定時間4分9秒
ピーク強度マッピング
積分強度マッピング
任意の波長での強度マッピング
シングルチャンネル検出器オートレンジ機能
シングルチャンネル測定では、オートレンジ機能があり、広いダイナミックレンジでの測定が可能です。
シングルチャンネル検出器(NIR)
アレイ検出器だけでなく、PbSやMCT等のシングルチャンネル検出器の搭載も可能
NIR領域だけでなく、より広い波長範囲の測定にも対応可能です。
- 多くの検出ラインナップから、ニーズにあった検出器が選択できます。
- 室温、電子冷却タイプ
検出器の種類による検出可能波長範囲
赤外線(IR)
プリアンプ付き赤外検出モジュールの仕様
検出器 |
Range(um) |
NEP |
Active Area (mm) |
Cooling |
---|---|---|---|---|
InGaAs |
0.8-1.66 |
7×10-14 |
Φ5 |
TE |
1.0-2.05 |
1×10-13 |
Φ1 |
TE |
|
1.2-2.56 |
6×10-13 |
Φ1 |
TE |
|
PbS |
1.0-3.2 |
8×10-13 |
4×5 |
TE |
PbSe |
1.5-5.2 |
1×10-10 |
3×3 |
TE |
InAs |
1.0-3.5 |
6×10-12 |
Φ1 |
TE |
InSb |
1.0-6.3 |
1.5×10-11 |
1×1 |
TE |
PL強度を利用したオートフォーカス機能
実際のPL信号で、Z軸を駆動し、ある波長のピーク強度最大となるフォーカス位置でのPL測定が可能。また、その位置から、任意にフォーカスを移動させた位置での測定も行えます。
ピエゾを使用した、オートフォーカス機構もオプションで搭載可能です。
4 inch InGaP ウエハ測定例
Z軸を移動させたプロファイル
AF機能設定画面
2つのアレイ検出器 または アレイ検出器+シングル検出器が取付可能
CCD 1024 x 256 Back Illuminated Deep Depleted quantum efficiency (Manufacturer information -20℃
Typical spectral response of Spectrum _disibledevent="margin: 0px; padding: 0px;" /> ・モジュラー顕微鏡を使用したPL測定も可能です。